根據外媒報道，俄羅斯已經制定了新的半導體產業發展計劃的初步版本，到 2030 年需要投資約 3.19 萬億盧布（約384.3 億美元）。問題是進度太慢，目標是到 2030 年建立使用 28nm 節點的制造，比中國起碼都還要落后十幾年，而且俄羅斯能否實現目標都還是個問題。
這都是美國給害的。今年3月底，美國財 政部宣布對俄羅斯21家實體企業和13個個人實施制裁，其中包括俄羅斯最大的芯片制造商、微電子制造商和出口商Mikron。還包括總部位于莫斯科的Serniya Engineering和設備制造商Sertal，美國財 政部指控這兩家公司為俄羅斯國防部門非法采購可用于民用的設備和技術。所以，俄羅斯下定決心，重建本國的半導體產業。
俄羅斯歷史上半導體產業落后程度也驚人。俄羅斯缺乏自主芯片，90%的芯片都是來自于國外，而國內最大的芯片商也只有65nm芯片的制造水平，如果單靠國內的芯片供應，那將很難滿足需求。
但為何半導體產業如此落后，俄羅斯卻還能制造很多高端武器呢？這是因為早在前蘇聯時代，考慮到核打擊的威脅，在晶體管和電子管兩個技術路線之間，前蘇聯優先選擇了抗輻射能力更強的電子管技術。電子管的小型化的確存在先天限制，但那個時候也的確沒人想到，晶體管的小型化竟然能夠發展到納米級。
俄羅斯此次下定決心追趕半導體產業，但問題是追趕的難度有多大。據悉，俄羅斯短期目標之一是在年底前使用 90nm 制造技術提高本地芯片產量。一個更長期的目標是到 2030 年建立使用 28nm 節點的制造。
而臺積電早在2011年就能生產28納米的芯片，中芯國際際28納米技術于2013年第四季度推出，近年來已成功進入多項目晶圓（MPW）和量產階段，可依照客戶需求提供HKMG制程服務。
俄羅斯比中芯國際起碼落后十幾年，比臺積電更是落后二十幾年，在美國封殺產業鏈的情況下，能否生產出90納米的芯片都是個問題。來源：運營商世界網
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