去年1月份的時(shí)候，三星就宣布生產(chǎn)出世界上第一個(gè)3nm GAAFET晶體管芯片的工藝原型，當(dāng)時(shí)表示將在2021年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。而在今年3月份的時(shí)候，三星發(fā)布了這一顆3nm的芯片，采用GAAFET晶體管技術(shù)，但在當(dāng)時(shí)大家還是稱三星的3nm芯片，其實(shí)還是PPT造芯。
而近日，三星終于對(duì)外表示，使用其環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm芯片流片成功，接下來(lái)真正進(jìn)入量產(chǎn)階段了，不再是PPT，而是實(shí)實(shí)在在的芯片技術(shù)了。
事實(shí)上，關(guān)于3nm芯片戰(zhàn)，早就打響了，在三星3月份秀出3nm芯片后不久，IBM就搞了一個(gè)大新聞，搞了一顆2nm工藝的芯片原型出來(lái)，與三星的3nm芯片一樣，采用的是GAAFET晶體管技術(shù)。
后來(lái)臺(tái)積電又搞 了一個(gè)大新聞，臺(tái)積電與臺(tái)大、美國(guó)麻省理工學(xué)院合作研究，發(fā)現(xiàn)了用二維材料結(jié)合「半金屬鉍（Bi）」能達(dá)極低電阻，接近量子極限，有助于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體1nm以下制程挑戰(zhàn)。
為何三星這么在意3nm技術(shù)？原因在于目前有5nm技術(shù)的廠商就兩家，分別是臺(tái)積電和三星。而隨著芯片工藝進(jìn)入5nm后，再提升工藝是越來(lái)越難了，所以接下來(lái)誰(shuí)能夠在3nm工藝上依靠，也就意味著非常有可能在制造上領(lǐng)先，從而成為領(lǐng)軍者。
再加上臺(tái)積電的3nm還是采用FinFET晶體管，這是比較老邁的技術(shù)，早就要淘汰了，三星采用更先進(jìn)的GAAFET晶體管。
與臺(tái)積電3nm工藝的FinFET晶體管技術(shù)相比，GAA架構(gòu)改進(jìn)了靜電特性，降低了電壓，從而提高了性能并降低了功耗，并帶來(lái)了基于納米片寬度控制的額外矢量的新優(yōu)化機(jī)會(huì)的額外好處。
一旦三星能夠比臺(tái)積電更提前量產(chǎn)3nm芯片，那么三星非常有可能挑戰(zhàn)臺(tái)積電的地位，接到更多的訂單，從而把臺(tái)積電打壓下去。
而按照媒體的報(bào)道，這次流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的，旨在加速為GAA流程提供高度優(yōu)化的參考方法，同時(shí)還能夠提供一整套的EDA工具，接下來(lái)就讓我們關(guān)注三星3nm芯片的進(jìn)展了。
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